*nlhđ của ff RS kdb(FF RS cơ bản):

-Khi không có tín hiệu,tức là R(đảo)=S(đảo)=1,mạch có 2 trạng thái ổn định Q=0 và Q(đảo) hoặc Q=1 và Q(đảo)=0.Đầu ra của cổng này đc nối trực tiếp với đầu vào của cổng kia,mạch có hồi tiếp dương do đó mạch hoàn toàn duy trì trạng thái hiện có.

-Giả sử FF có trạng thái Q=0 và Q(đảo)=1,ta đưa 1 xung âm vào đầu S(đảo) mạch chuyển sang trạng thái Q=1,Q(đảo)=0 và tự động duy trì trạng thái này.Vì thế xung âm đầu vào gọi là xung kích.

-Giả sử FF có trạng thái Q=1 và Q(đảo)=0,ta đưa 1 xung âm vào đầu R(đảo) mạch chuyển sang tt Q=0,Q(đảo)=1.

-Vì tín hiệu đầu vào S(đảo) có thể và chỉ có thể thiết lập FF ở tt Q=1,tín hiệu đầu vào R(đảo) có thể và chỉ có thể xóa FF ở tt R=0 nên thường gọi S(đảo) là đầu vào đặt(Set) và đầu ra R(đảo) là đầu vào xóa(Reset)

-Mạch ko cho phép đồng thời đưa tín hiệu đầu vào cả R(đảo) và S(đảo) tức là tt R(đảo)=S(đảo)=0 bị cấm.Vì nếu R(đảo)=S(đảo)=0 thì Q và Q(đảo) đồng thời bằng 1,ko phải là tt ổn định của FF RS và ko thể xđ đc tt trước của nó.

*nlhđ của ff RS đồng bộ:

-Khi C=0 các cổng vào bị ngắt,FF RS cơ bản ko thể tiếp thu tín hiệu vào,mạch được duy trì trạng thái cũ.Khi C=1 các cổng vào thông,mạch sẵn sàng tiếp thu tín hiệu vào R,S.

-NLHĐ của FF RS kđb cũng giống như của FF RS cơ bản,chúng chỉ khác là chỉ tiếp nhận tín hiệu đầu vào khi C=1.

*nlht FF JK:

FF JK là loại FF có 2 đầu vào đkhiển J,K.FF này có ưu điểm hơn FF RS là ko còn tồn tại tổ hợp cấm bằng các đường hồi tiếp từ Q về chân R và từ Q(đảo) về S.Tuy nhiên đặc điểm của FF này là có them đầu vào đbộ C.FF có thể lập hay xóa trong khoảng tgian ứng với sườn âm hoặc sườn dương của xung đb C.

*Các loại FF chủ tớ:

*nlhd MS RS:

-Khi C=0,cổng G,H ngắt nên FF chủ ngắt,C(đảo)=1 cổng C,D thông,nó tiếp thu tín hiệu đầu ra của FF chủ do đó Q=Qm,Q(đảo)=Qm(đảo)

-Sau đột biến sườn dương C:

+C=1,FF chủ thông qua các cổng G,H tiếp nhận tín hiệu đầu vào.

+C=1 thì C(đảo)=0,FF tớ ngắt ,đầu ra Q va Q(đảo) vẫn duy trì trạng thái cũ.

-Khi có sườn âm của C:

+Xung nhịp C đột biến xuống 0,FF chủ ngắt,khi đó C(đảo) đột biến lên 1,FF tớ tiếp nhận tín hiệu đã được FF chủ ghi nhớ từ thời gian C=1.nghĩa là FF tớ chuyển đổi tt.

-Như vậy FF chủ tớ đã giải quyết triệt để vđề trực tiếp đkhiển.TT đầu ra ko chịu ahưởng ttiếp của các đầu vào R,S.

*nlhd MS JK:

-Loại FF MS RS vẫn còn rang buộc của R và S.Khi R=S=1,các cổng G và H đều ở mức thấp,dẫn đến tt cấm Qm=1 và Qm(đảo)=1.

-Để giải quyết vđề trên ta chỉ cần đem mức đầu ra Q và Q(đảo) đưa đến các đầu vào của G và H thì có thể khắc phục đc tình trạng Q và Q(đảo) đều =1.

*Ss mạch tổ hợp & mạch tt:

Các mạch số được chia ra làm hai loại: Mạch tổ hợp và Mạch tuần tự.

- Mạch tổ hợp: Trạng thái ngã ra chỉ phụ thuộc vào tổ hợp các ngã vào khi tổ hợp này đã ổn định. Ngã ra Q của mạch tổ hợp là hàm logic của các biến ngã vào A, B, C . . ..

Q = f(A,B,C . . .)

- Mạch tuần tự : Trạng thái ngã ra không những phụ thuộc vào tổ hợp các ngã vào mà còn phụ thuộc trạng thái ngã ra trước đó. Ta nói mạch tuần tự có tính nhớ. Ngã ra Q+ của mạch tuần tự là hàm logic của các biến ngã vào A, B, C . . . . và ngã ra Q trước đó.

Q+ = f(Q,A,B,C . . .)

*Mạch tự dđ dùng 555:

• Trạng thái VOUT=0V, tụ C được nạp với hằng số thời gian Tn=(RA+RB)C, đến mức VC=VCC×2/3

• Mạch chuyển sang trạng thái VOUT=VCC, tụ C phóng với hằng số thời gian Tp=RBC, đến mức VC=VCC×1/3 thì trở về trạng thái trước

• Tần số dao động: f=1,44/[(RA+2RB)C]

*Bộ nhớ BD:

-Bộ nhớ không vĩnh cữu (volatile) : Bộ nhớ cần nguồn điện để lưu trữ thông tin. Khi

ngắt điện, thông tin lưu trữ bị mất. Hầu hết bộ nhớ bán dẫn là loại không vĩnh cữu, trong khi bộ nhớ từ là loại vĩnh cữu (nonvolatile).

- Bộ nhớ truy xuất ngẫu nhiên (Random-Access Memory, RAM) : Khi cần truy xuất

một địa chỉ ta tới ngay địa chỉ đó. Vậy thời gian đọc hay viết dữ liệu vào các vị trí nhớ khác nhau trong bộ nhớ không tùy thuộc vào vị trí nhớ. Nói cách khác, thời gian truy xuất như nhau đối với mọi vị trí nhớ. Hầu hết bộ nhớ bán dẫn và nhẫn từ (bộ nhớ trong của máy tính trước khi bộ nhớ bán dẫn ra đời) là loại truy xuất ngẫu nhiên.

-Bộ nhớ truy xuất tuần tự (Sequential-Access Memory, SAM) : Khi cần truy xuất

một địa chỉ ta phải lướt qua các địa chỉ trước nó. Như vậy thời gian đọc và viết dữ liệu ở

những vị trí khác nhau thì khác nhau. Những thí dụ của bộ nhớ này là băng từ, đĩa từ. Tốc độ làm việc của loại bộ nhớ này thường chậm so với bộ nhớ truy xuất ngẫu nhiên.

-Bộ nhớ đọc/viết (Read/Write Memory, RWM) : Bộ nhớ có thể viết vào và đọc ra.

- Bộ nhớ chỉ đọc (Read-Only Memory, ROM): là bộ nhớ mà tỉ lệ tác vụ đọc trên tác

vụ ghi rất lớn. Về mặt kỹ thuật, một ROM có thể được ghi chỉ một lần ở nơi sản xuất và sau đó thông tin chỉ có thể được đọc ra từ bộ nhớ. Có loại ROM có thể được ghi nhiều lần nhưng tác vụ ghi khá phức tạp hơn là tác vụ đọc. ROM thuộc loại bộ nhớ vĩnh cữu và dữ liệu được lưu giữ khi đã cắt nguồn điện.

- Bộ nhớ tĩnh (Static Memory Devices) : là bộ nhớ bán dẫn trong đó dữ liệu đã lưu trữ

được duy trì cho đến khi nào còn nguồn nuôi.

- Bộ nhớ động (Dynamic Memory Devices) : là bộ nhớ bán dẫn trong đó dữ liệu đã

lưu trữ muốn tồn tại phải được ghi lại theo chu kỳ. Tác vụ ghi lại được gọi là làm tươi

(refresh).